HDPCVD高密度等離子(zǐ)體化學氣相沉積系列機台

1.生長材料：SiO2、SiNx、α-Si等

2.低溫生長工藝

3.尺寸定制，整片以(yǐ)及碎片膜層生長

4.Load-Lock 雙腔（選配）

5.加熱溫度：室溫-400℃（溫度可定制）

6.襯底偏壓（選配）

7.氣路數量可根據用戶需求定制

8.具備腔室清洗工藝

9.基于(yú) Windows 操作軟件，具備系統監測、工藝編輯、參數顯示等功能，具備儲存工藝日志和(hé / huò)操作記錄的(de)能力