PECVD 等離子(zǐ)體化學氣相沉積系列機台

1.生長材料：SiO2、SiNx、α-Si等

2.尺寸定制，整片以(yǐ)及碎片膜層生長

3.Load-Lock 雙腔（選配）

4.加熱溫度：室溫-400℃（溫度可定制）

5.襯底偏壓（選配）

6.氣路數量可根據用戶需求定制

7.具備腔室清洗工藝