IBE 離子(zǐ)束刻蝕系列機台

1.刻蝕範圍：金屬（Au、Pt、Ag、Co、Ni、Ta 等）; 矽基（Si、SiNx、SiO2 等）;半導體化合物等

2.尺寸定制，整片以(yǐ)及碎片刻蝕

3.選配反應刻蝕氣路，如：氧氣、氮氣等

4.水冷控溫

5.下電極可傾斜 0-90°，同時(shí)支持自旋功能

6.軟硬件互鎖機制

7.基于(yú) Windows 操作軟件，具備系統監測、工藝編輯、參數顯示等功能，具備儲存工藝日志和(hé / huò)操作記錄的(de)能力